Ostinelli, Olivier: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (25)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

A $W$-Band On-Wafer Active Load–Pull System Based on Down-Conversion Techniques

Teppati, Valeria, Benedickter, Hansruedi, Marti, Diego, Garelli, Marco, Tirelli, Stefano, Lovblom, Rickard, Fluckiger, Ralf, Alexandrova, Maria, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo R.

Журнал:

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 608 KB

english, 2014

2

InP/GaAsSb DHBTs With 500-GHz Maximum Oscillation Frequency

Lovblom, Rickard, Fluckiger, Ralf, Zeng, Yuping, Ostinelli, Olivier, Alt, Andreas R., Benedickter, Hansruedi, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 478 KB

english, 2011

3

Type-II InP/GaAsSb double-heterojunction bipolar transistors with f MAX > 700 GHz

Flückiger, Ralf, Lövblom, Rickard, Alexandrova, Maria, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo R.

Журнал:

Applied Physics Express

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 604 KB

english, 2014

4

GaAsSb-Based DHBTs With a Reduced Base Access Distance and \(f_{\mathrm {T}}/f_{\mathrm {MAX}}=\) 503/780 GHz

Alexandrova, Maria, Flueckiger, Ralf, Lovblom, Rickard, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 981 KB

english, 2014

5

Defining the « frequent exacerbator » phenotype in COPD: a hypothesis-free approach

Le Rouzic, Olivier, Roche, Nicolas, Cortot, Alexis B., Tillie-Leblond, Isabelle, Masure, Frédéric, Perez, Thierry, Boucot, Isabelle, Hamouti, Latifa, Ostinelli, Juliette, Pribil, Céline, Poutchnine, C

Журнал:

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.27 MB

english, 2017

6

Pt Gate Sink-In Process Details Impact on InP HEMT DC and RF Performance

Saranovac, Tamara, Hambitzer, Anna, Ruiz, Diego C., Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.20 MB

english, 2017

7

Effects of Electrochemical Etching on InP HEMT Fabrication

Saranovac, Tamara, Ruiz, Diego C., Han, Daxin, Arabhavi, Akshay M., Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.59 MB

english, 2019

8

(Ga,In)P emitter composition effect on the performance of (Ga,In)P/GaAsSb/InP DHBTs grown by MOCVD

Yuping Zeng, Rickard Lövblom, Olivier Ostinelli, C. R. Bolognesi

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 162 KB

english, 2010

9

InP/GaAsSb DHBTs With Simultaneous $f_{\rm T}/f_{\rm MAX}=428/621~{\rm GHz}$

Lovblom, Rickard, Fluckiger, Ralf, Alexandrova, Maria, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 393 KB

english, 2013

10

Highly Efficient InP/GaAsSb DHBTs With 62% Power-Added Efficiency at 40 GHz

Teppati, Valeria, Zeng, Yuping, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 655 KB

english, 2011

11

Uniform-Base InP/GaInAsSb DHBTs Exhibiting $f_{\rm MAX}/f_{\rm T}>635/420~{\rm GHz}$

Fluckiger, Ralf, Lovblom, Rickard, Alexandrova, Maria, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 693 KB

english, 2014

12

Growth parameter optimization and interface treatment for enhanced electron mobility in heavily strained GaInAs/AlInAs high electron mobility transistor structures

Fedoryshyn, Yuriy, Ostinelli, Olivier, Alt, Andreas, Pallin, Angel, Bolognesi, Colombo R.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 927 KB

english, 2014

13

Emitter Size Effect in GaAsSb-Based DHBTs With AlInP and GaInP Emitters

Lovblom, Rickard, Fluckiger, Ralf, Ostinelli, Olivier, Alexandrova, Maria, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 386 KB

english, 2013

14

400-GHz InP/GaAsSb DHBTs With Low-Noise Microwave Performance

Zeng, Yuping, Ostinelli, Olivier, Lovblom, Rickard, Alt, Andreas R., Benedickter, Hansruedi, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 393 KB

english, 2010

15

Demonstration of Ditertiary Butyl Sulfide as a Dopant Source for n-Type InP by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy

Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

Applied Physics Express

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 404 KB

english, 2011

16

To Localize or to Standardize on the Web: Empirical Evidence from Italy, India, Netherlands, Spain, and Switzerland

Singh, Nitish, Furrer, Olivier, Ostinelli, Massimiliano

Журнал:

Multinational Business Review

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 195 KB

english, 2004

17

[IEEE 2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)] - Toyama, Japan (2016.6.26-2016.6.30)] 2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) - InP/GaInAsSb DHBT evolution in the THz era

Bolognesi, Colombo R., Fluckiger, Ralf, Alexandrova, Maria, Lovblom, Rickard, Ostinelli, Olivier

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 18 KB

english, 2016

18

Transferred-Substrate InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistor Technology With fmax ~ 0.53 THz

Weimann, Nils G., Johansen, Tom K., Stoppel, Dimitri, Matalla, Matthias, Brahem, Mohamed, Nosaeva, Ksenia, Boppel, Sebastian, Volkmer, Nicole, Ostermay, Ina, Krozer, Viktor, Ostinelli, Olivier, Bologn

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.43 MB

english, 2018

19

= 547/784 GHz

Quan, Wei, Arabhavi, Akshay M., Fluckiger, Ralf, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 788 KB

english, 2018

20

InAs Channel Inset Effects on the DC, RF, and Noise Properties of InP pHEMTs

Ruiz, Diego C., Saranovac, Tamara, Han, Daxin, Hambitzer, Anna, Arabhavi, Akshay M., Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.85 MB

english, 2019

21

InAs Channel Inset Effects on the DC, RF, and Noise Properties of InP pHEMTs

Ruiz, Diego C., Saranovac, Tamara, Han, Daxin, Hambitzer, Anna, Arabhavi, Akshay M., Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2019

Файл:

PDF, 4.85 MB

2019

22

[IEEE 2019 IEEE BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) - Nashville, TN, USA (2019.11.3-2019.11.6)] 2019 IEEE BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) - New GaInAs/InAs/InP Composite Channels for mm-Wave Low-Noise InP HEMTs

Ruiz, Diego C., Saranovac, Tamara, Han, Daxin, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo R.

Рік:

2019

Файл:

PDF, 809 KB

2019

23

[IEEE 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2019.12.7-2019.12.11)] 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Impact Ionization Control in 50 nm Low-Noise High-Speed InP HEMTs with InAs Channel Insets

Ruiz, Diego C., Saranovac, Tamara, Han, Daxin, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C.R.

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.51 MB

english, 2019

24

Low-Noise Microwave Performance of 30 nm GaInAs MOS-HEMTs: Comparison to Low-Noise HEMTs

Han, Daxin, Ruiz, Diego C., Bonomo, Giorgio, Saranovac, Tamara, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo R.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.39 MB

2020

25

Type-II GaInAsSb/InP Uniform Absorber High Speed Uni-Traveling Carrier Photodiodes

Arabhavi, Akshay M., Chaudhary, Rimjhim, Fluckiger, Ralf, Marti, Diego, Hamzeloui, Sara, Ciabattini, Filippo, Quan, Wei, Leich, Martin, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, C. R.

Журнал:

Journal of Lightwave Technology

Рік:

2020

Файл:

PDF, 811 KB

2020